芯片的诞生由两个步骤决定，设计与生产。设计方面，上至北斗导航系统，下至各种手机，都有我国自行设计的芯片，但是在生产方面，却一直有一道难以逾越的坎放在国产芯片行业面前——光刻胶。

举一个简单的例子，华为的麒麟990芯片，采用了7nm的工艺制造，由台积电代工。这个7nm指的就是光刻工艺，华为没有这样的工艺所以只能由台积电代工。不说华为，即使是CPU领域的巨头AMD也是由台积电代工。由此可见，光刻工艺的技术壁垒是多么的高。

光刻胶是光刻过程最重要的耗材，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响，其主要作用，是在光刻过程中，起到防腐蚀的保护作用。

目前全球光刻胶主要企业有日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、信越化学、美国罗门哈斯等，市场集中度非常高，所占市场份额超过85%。

光刻胶市场需求逐年增加，2018年全球半导体光刻胶销售额12.97亿美元，而国内光刻胶需求量方面，2011年光刻胶需求量为3.51万吨，到2017年需求量为7.99万吨，年复合增长率达14.69%。

国内光刻胶需求量远大于本土产量，且差额逐年扩大。由于中国大陆光刻胶市场起步晚，目前技术水平相对落后，生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品，TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能极少。

光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒最高。

从技术水平来看，在PCB领域，国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力，已经实现对主流厂商大批量供货。

技术门槛更高的 LCD 光刻胶，国内也有所突破，主要企业有飞凯材料、永太科技、苏州瑞红（晶瑞股份 100%控股）和北京科华微电子（南大光电持股 31.39%）。

飞凯材料已经在高端的湿膜光刻胶领域通过下游厂商验证，CF光刻胶已经通过华星光电验证。

晶瑞股份（苏州瑞红）承担了国家重大科技项目 02 专项“i 线光刻胶产品开发及产业化”项目并通过验收，在国内实现了 i 线（365nm）光刻胶量产，并在中芯国际、扬杰科技、士兰微等知名半导体厂通过了单项测试和分片测试，取得了客户的产品认证。

同时，子公司苏州瑞红研发的 RZJ-325 系列光刻胶、高粘附性光刻胶RFJ-210G、TFT-Array 光刻胶部分产品、厚膜光刻胶 RZJ-T3520 等光刻胶产品也取得重大进展将逐步推向市场。

北京科华现代化光刻胶生产线主要以 g 线和 i 线正胶为主， 分辨率最高能够达到 350nm 的水平。到 2009 年 5 月，建成 g/i 线正胶生产线（500 吨/年）和正胶配套试剂生产线（1000 吨/年）。

高分辨率的光刻胶是半导体化学品中技术壁垒最高的材料，日美企业技术领先国内企业二十年至三十年。

住友化学已经研制出适用于 ArF 浸入式光刻胶和 EUV 技术光刻胶，其中 EUV 技术的光刻胶应用于 32 纳米以下晶圆制造制程。

JSR 联合日本微电子研究中心共同成立的 EUV 光刻胶制备和认证中心，致力于实现 EUV 光刻胶材料的量产应用，预计 2020 年前实现批量供货应用于 7 纳米及以下的晶圆制程，其产品技术布局行业最前沿。